\女性活躍中/
年収アップを狙うなら!
年収400万円以上×半導体・IC
の転職・求人特集
更新日:2026/01/19
半導体・ICに転職して年収アップを実現しよう!
公開求人2件中 1-2件表示
FPGAデジタル回路開発のプロジェクトリーダー候補・リーダー 富士フイルムソフトウエア株式会社
- 正社員採用
- 土日祝休み
- 学歴不問
- 産休・育休あり
- フレックス
- 賞与あり
- 月残業20時間以内
- 休日120日以上
| 想定年収 | 550 ~ 815万円 |
|---|---|
| 勤務地 |
|
業務内容
富士フイルムグループで医療機器や商用プリンタ、デジタルカメラなどの開発に携わる、やりがいのあるFPGA開発の仕事です。
【募集概要】
経験に応じて、プロジェクトリーダーまたはサブリーダーとして活躍していただきます。
チームを率いて、製品開発を推進するやりがいのある仕事です。
【募集概要】
経験に応じて、プロジェクトリーダーまたはサブリーダーとして活躍していただきます。
チームを率いて、製品開発を推進するやりがいのある仕事です。
富士フイルムグループで医療機器や商用プリンタ、デジタルカメラなどの開発に携わる、やりがいのあるFPGA開発の仕事です。
【募集概要】
経験に応じて、プロジェクトリーダーまたはサブリーダーとして活躍していただきます。
チームを率いて、製品開発を推進するやりがいのある仕事です。
【募集概要】
経験に応じて、プロジェクトリーダーまたはサブリーダーとして活躍していただきます。
チームを率いて、製品開発を推進するやりがいのある仕事です。
化合物半導体ウエハプロセスのエピタキシャル成長技術開発 社名非公開
- 正社員採用
- 社宅・住宅補助
- 土日祝休み
- 上場企業
- 産休・育休あり
- フレックス
- 賞与あり
- 月残業20時間以内
- 休日120日以上
| 想定年収 | 500 ~ 1100万円 |
|---|---|
| 勤務地 |
|
業務内容
光通信用途を始めとしたデバイス開発を支える化合物半導体エピタキシャル成長技術開発を担当していただきます。
結晶品質および量産安定性の最適化を目指し、設計・実験・解析・量産導入までを一貫して行います。
≪具体的には≫
■業務内容例
● InP/GaAs/GaN 系のIII-V 族化合物半導体のエピタキシャル成長
・MOCVD装置を用いたInP/GaAs/GaN 系のエピタキシャル成長
・エピ成長条件(温度、圧力、V/III 比、キャリアガス流量)の設定・調整
結晶品質および量産安定性の最適化を目指し、設計・実験・解析・量産導入までを一貫して行います。
≪具体的には≫
■業務内容例
● InP/GaAs/GaN 系のIII-V 族化合物半導体のエピタキシャル成長
・MOCVD装置を用いたInP/GaAs/GaN 系のエピタキシャル成長
・エピ成長条件(温度、圧力、V/III 比、キャリアガス流量)の設定・調整
光通信用途を始めとしたデバイス開発を支える化合物半導体エピタキシャル成長技術開発を担当していただきます。
結晶品質および量産安定性の最適化を目指し、設計・実験・解析・量産導入までを一貫して行います。
≪具体的には≫
■業務内容例
● InP/GaAs/GaN 系のIII-V 族化合物半導体のエピタキシャル成長
結晶品質および量産安定性の最適化を目指し、設計・実験・解析・量産導入までを一貫して行います。
≪具体的には≫
■業務内容例
● InP/GaAs/GaN 系のIII-V 族化合物半導体のエピタキシャル成長
あなたに合う求人が
非公開求人の中にあるかもしれません。
サイト内でご覧いただける求人は一部となります。非公開求人は、ご登録後にキャリアアドバイザーからのみご紹介することができます。
無料登録
無料非公開求人の紹介を受ける
求人を探す
-
職種から探す
-
業種から探す
-
勤務地から探す
-
年収から探す
