女性歓迎！化合物半導体ウエハプロセスのエピタキシャル成長技術開発｜兵庫県/半導体・IC/総合電機（メーカー）の求人・転職情報

お問い合わせ番号：619258　最終確認日：2026年01月18日

化合物半導体ウエハプロセスのエピタキシャル成長技術開発

社名非公開

お問い合わせ番号：619258　最終確認日：2026年01月18日

勤務条件
求人情報
応募の流れ

勤務条件

雇用形態	正社員試用期間：有/3ヶ月
給与	[想定年収] 500 ～ 1100 万円 [月給] 28 ～ 57万円
勤務地	[勤務地1] 兵庫県 [変更の範囲] 有会社の定める場所(※) (※)業務の性質等に応じリモートワークを認める場合は、リモートワークを行う場所（自宅等）を含む。 [受動喫煙対策]敷地内禁煙(屋外喫煙可能場所有)
勤務時間	[勤務時間] 8:30 ～ 17:00（実働：7時間45分）フレックス有休憩時間：45分 [平均残業時間] 20時間/月
休日・休暇	年間休日 125日年末年始夏季特別産休育児年間休日(123～129日)、土日祝、GW、夏季、年末年始、年次有給休暇(※入社時より付与。付与日数は入社日により変動)、特別休暇2～4日（30歳、40歳、50歳到達年）、産休育休制度ありなど会社カレンダーに準じる
手当・福利厚生	社宅・独身寮財形貯蓄制度
保険	健康厚生年金雇用労災

求人情報

業務内容	光通信用途を始めとしたデバイス開発を支える化合物半導体エピタキシャル成長技術開発を担当していただきます。結晶品質および量産安定性の最適化を目指し、設計・実験・解析・量産導入までを一貫して行います。 ≪具体的には≫ ■業務内容例 ● InP／GaAs／GaN 系のIII-V 族化合物半導体のエピタキシャル成長・MOCVD装置を用いたInP／GaAs／GaN 系のエピタキシャル成長・エピ成長条件（温度、圧力、V/III 比、キャリアガス流量）の設定・調整・デバイス仕様に応じたエピ構造の実現（量子井戸層、ヘテロ障壁層、ドーピング制御など） ● 薄膜の評価および解析・エピ成長後の膜厚・組成の評価（XRD、SIMS、PL、TEM、SEM など）・欠陥密度、表面粗さ、歪み量など、品質に直結するパラメータの定量化・光学特性（PLピーク、吸収端）、電気特性（キャリア濃度、移動度）の解析 ● エピ成長条件の最適化と再現性向上・結晶品質のばらつき要因の特定（ガス分布、ヒータプロファイル、基板回転、温度均一性など）・エピ成長装置の経時変化を考慮した安定化手法の検討・量産ラインでの再現性確保に向けた条件最適化・エピ成長装置のメンテナンス・安定動作管理 ● 新規材料／構造のプロセス開発・高速・低消費電力デバイス向けの多重量子井戸（MQW）構造の開発・新デバイス用途への新規材料展開将来的には、エピタキシャル成長技術のリーダー/マネージャーとしてグループの牽引。光通信用途を始めとしたデバイス開発を支える化合物半導体エピタキシャル成長技術開発を担当していただきます。結晶品質および量産安定性の最適化を目指し、設計・実験・解析・量産導入までを一貫して行います。 ≪具体的には≫ ■業務内容例 ● InP／GaAs／GaN 系のIII-V 族化合物半導体のエピタキシャル成長・MOCVD装置を用いたInP／GaAs／GaN 系のエピタキシャル成長・エピ成長条件（温度、圧力、V/III 比、キャリアガス流量）の設定・調整・デバイス仕様に応じたエピ構造の実現（量子井戸層、ヘテロ障壁層、ドーピング制御など） ● 薄膜の評価および解析・エピ成長後の膜厚・組成の評価（XRD、SIMS、PL、TEM、SEM など）・欠陥密度、表面粗さ、歪み量など、品質に直結するパラメータの定量化・光学特性（PLピーク、吸収端）、電気特性（キャリア濃度、移動度）の解析 ● エピ成長条件の最適化と再現性向上・結晶品質のばらつき要因の特定（ガス分布、ヒータプロファイル、基板回転、温度均一性など）・エピ成長装置の経時変化を考慮した安定化手法の検討・量産ラインでの再現性確保に向けた条件最適化・エピ成長装置のメンテナンス・安定動作管理 ● 新規材料／構造のプロセス開発・高速・低消費電力デバイス向けの多重量子井戸（MQW）構造の開発・新デバイス用途への新規材料展開将来的には、エピタキシャル成長技術のリーダー/マネージャーとしてグループの牽引。変更の範囲：有会社の定める業務(※) (※)業務の都合によっては会社外の職務に従事するため出向又は転属を命じることがあります
必要な経験	工学系修士以上または同等の専門知識・スキルを有する方化合物半導体（InP, GaAs, GaNなど）の結晶成長・評価経験に関する実務または研究（3年以上） MOCVD、MBEなどの結晶成長装置の操作・プロセス設計経験物性物理、量子力学、電磁気学に関する基礎知識	工学系修士以上または同等の専門知識・スキルを有する方化合物半導体（InP, GaAs, GaNなど）の結晶成長・評価経験に関する実務または研究（3年以上） MOCVD、MBEなどの結晶成長装置の操作・プロセス設計経験物性物理、量子力学、電磁気学に関する基礎知識
学歴	大学　大学院

業務内容

光通信用途を始めとしたデバイス開発を支える化合物半導体エピタキシャル成長技術開発を担当していただきます。
結晶品質および量産安定性の最適化を目指し、設計・実験・解析・量産導入までを一貫して行います。

≪具体的には≫
■業務内容例
● InP／GaAs／GaN 系のIII-V 族化合物半導体のエピタキシャル成長
・MOCVD装置を用いたInP／GaAs／GaN 系のエピタキシャル成長
・エピ成長条件（温度、圧力、V/III 比、キャリアガス流量）の設定・調整
・デバイス仕様に応じたエピ構造の実現（量子井戸層、ヘテロ障壁層、ドーピング制御など）

● 薄膜の評価および解析
・エピ成長後の膜厚・組成の評価（XRD、SIMS、PL、TEM、SEM など）
・欠陥密度、表面粗さ、歪み量など、品質に直結するパラメータの定量化
・光学特性（PLピーク、吸収端）、電気特性（キャリア濃度、移動度）の解析

● エピ成長条件の最適化と再現性向上
・結晶品質のばらつき要因の特定（ガス分布、ヒータプロファイル、基板回転、温度均一性など）
・エピ成長装置の経時変化を考慮した安定化手法の検討
・量産ラインでの再現性確保に向けた条件最適化
・エピ成長装置のメンテナンス・安定動作管理

● 新規材料／構造のプロセス開発
・高速・低消費電力デバイス向けの多重量子井戸（MQW）構造の開発
・新デバイス用途への新規材料展開

将来的には、エピタキシャル成長技術のリーダー/マネージャーとしてグループの牽引。

光通信用途を始めとしたデバイス開発を支える化合物半導体エピタキシャル成長技術開発を担当していただきます。
結晶品質および量産安定性の最適化を目指し、設計・実験・解析・量産導入までを一貫して行います。

≪具体的には≫

■業務内容例

● InP／GaAs／GaN 系のIII-V 族化合物半導体のエピタキシャル成長
・MOCVD装置を用いたInP／GaAs／GaN 系のエピタキシャル成長
・エピ成長条件（温度、圧力、V/III 比、キャリアガス流量）の設定・調整
・デバイス仕様に応じたエピ構造の実現（量子井戸層、ヘテロ障壁層、ドーピング制御など）

● 薄膜の評価および解析
・エピ成長後の膜厚・組成の評価（XRD、SIMS、PL、TEM、SEM など）
・欠陥密度、表面粗さ、歪み量など、品質に直結するパラメータの定量化
・光学特性（PLピーク、吸収端）、電気特性（キャリア濃度、移動度）の解析

● エピ成長条件の最適化と再現性向上
・結晶品質のばらつき要因の特定（ガス分布、ヒータプロファイル、基板回転、温度均一性など）
・エピ成長装置の経時変化を考慮した安定化手法の検討
・量産ラインでの再現性確保に向けた条件最適化
・エピ成長装置のメンテナンス・安定動作管理

● 新規材料／構造のプロセス開発
・高速・低消費電力デバイス向けの多重量子井戸（MQW）構造の開発
・新デバイス用途への新規材料展開

将来的には、エピタキシャル成長技術のリーダー/マネージャーとしてグループの牽引。